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【国内论文】在氧化镁衬底上外延生长 p 型铜掺杂 Ga₂O₃ 纳米阵列
日期：2024-07-12阅读：178
近期，由福建师范大学的研究团队在学术期刊Crystal Growth & Design发布了一篇名为Epitaxial Growth of p-Type Cu-Doped Ga2O3 Nanoarrays on MgO Substrates（在氧化镁衬底上外延生长 p 型铜掺杂 Ga2O3 纳米阵列）的文章。
摘要
本研究报道了利用化学气相沉积（CVD）法成功生长了定向排列的Cu掺杂β-Ga2O3纳米阵列。由于与蓝宝石和硅相比具有较低的晶格失配，采用MgO衬底进行Ga2O3的外延生长。对Cu掺杂的β-Ga2O3纳米阵列的形貌、生长机制、光学和光电化学性质进行了全面深入研究。实验结果表明，掺杂的Cu以一价亚铜离子Cu+的形式存在。此外，在一定条件下，β-Ga2O3纳米阵列将在Cu掺杂后呈现p型半导体特性。因此，该材料在光电催化和光致发光等领域具有巨大的应用潜力。这些研究结果为拓展Ga2O3的新应用领域提供了重要参考。
原文链接：https://doi.org/10.1021/acs.cgd.4c00099
