【国内论文】中国电子产品可靠性与环境试验研究所研究团队对β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管总电离剂量效应的温度依赖性的研究

        近期，中国电子产品可靠性与环境试验研究所的研究团队在学术期刊Electronics发布了一篇名为Temperature Dependence of Total Ionizing Dose Effects of β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes（β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管总电离剂量效应的温度依赖性）的文章。

摘要

        本文研究了在100 V反向偏置条件下，γ射线辐照对β-Ga₂O₃垂直肖特基势垒二极管（SBDs）的温度依赖性影响，辐照总剂量为1 Mrad(Si)。随着辐照剂量的增加，辐射损伤变得更加严重。通过直流（DC）、电容-电压（C-V）和低频噪声（LFN）测试评估了总电离剂量（TID）的退化行为和机制，并通过不同的辐照条件测试结果表明，TID效应引入了界面缺陷并改变了材料内部的载流子浓度。相比于高温测试，低温下TID效应的影响更为显著。此外，高温实验条件下的退火效应改善了由于辐照引起的界面陷阱缺陷的生长。这些结果表明，与低温测试相比，器件在高温暴露后表现出更高的TID耐受性，为后续相关器件的深入辐射可靠性研究提供了宝贵的见解。

图 1. β-Ga₂O₃ SBD 结构的横截面示意图。