【国际论文】具有超晶格背势垒层的增强模式 β-(Al₀.₁₉Ga₀.₈₁)₂O₃/Ga₂O₃高频晶体管

        在本研究中，我们通过数值模拟研究了采用超晶格背势垒层的增强型β-(Al_0.19Ga_0.81)₂O₃/Ga₂O₃异质结构场效应晶体管（HFET）在最大漏电流方面的改进。利用设备模拟和建模工具，复现了近期报道的增强型β-(Al_0.19Ga_0.81)₂O₃/Ga₂O₃ HFET的转移特性。随后揭示了所提议器件的转移特性、输出特性、射频（RF）特性和关态击穿特性。由于采用了超晶格背势垒层，对于栅极长度（L_G）为195nm和栅极到漏极间距（L_GD）为190nm的器件，计算的关态击穿电压从26V显著提升到93V，这是亚微米β-氧化镓（β-Ga₂O₃）晶体管中报道的最高击穿电压之一。此外，插入超晶格背势垒层改善了亚阈值特性，导致阈值电压正向偏移。结果表明，采用超晶格背势垒层可以显著增强高度缩小的β-Ga₂O₃ HFET的关态电流特性和RF特性。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.micrna.2024.207802