【国际论文】锡掺杂对非故意掺杂 β-Ga₂O₃ 单晶的结构、光学和介电特性的影响

        近期，由埃及苏哈格大学的研究团队在学术期刊Physica Scripta发布了一篇名为Effect of tin doping on the structural, optical, and dielectric properties of unintentionally β-Ga₂O₃ single crystal（锡掺杂对非故意掺杂β-Ga₂O₃ 单晶的结构、光学和介电特性的影响）的文章。

摘要

        本文通过X射线衍射（XRD）、拉曼散射、光学透射光谱、X射线光电子能谱（XPS）、紫外光电子能谱（UPS）和介电测量，对未掺杂和0.05摩尔%锡（Sn）掺杂的β-Ga₂O₃单晶的结构、光学、电学和介电性能进行了全面表征。结果表明，随着Sn含量的增加，光学带隙减小。XPS结果显示，Sn原子成功地添加到了β-Ga₂O₃晶体中。计算得出的0.05摩尔%Sn掺杂β-Ga₂O₃的费米能级位置为高于价带2.56 eV，低于导带1.85 eV。此外，计算出的0.05%摩尔Sn掺杂β-Ga₂O₃的功函数为4.53 eV。交流电导率随着频率的增加而增加，而介电损耗和介电常数则随着频率的增加而减小。

原文链接：https://doi.org/10.1088/1402-4896/ad5152