【国际论文】用激光二极管浮区（LDFZ）法生长直径为 30 mm β-Ga₂O₃ 晶体

        近期，由日本国家先进工业科学技术研究所(AIST)的研究团队在学术期刊Journal of Crystal Growth发布了一篇名为Growth of β-Ga₂O₃ crystal with a diameter of 30 mm by laser-diode-heated floating zone (LDFZ) method（用激光二极管浮区（LDFZ）法生长直径为 30 mm β-Ga₂O₃晶体）的文章。

摘要

        为了研究高功率激光加热对浮区（FZ）法的影响，使用新开发的配备20kW激光二极管（LD）系统作为热源的光学系统，通过LDFZ法生长了β-Ga₂O₃晶体。生长从直径为7mm的无孪籽晶开始，逐渐将晶体直径增加到30mm。在增加晶体直径的过程中，切换了三种光束强度分布模式，以局部和集中加热整个熔融区。通过光学系统的变焦和氧化铝圆柱的部分阻挡，调整了照射样品的五束光束的强度分布。通过适当调整光束分布和选择进料棒的直径，熔融区得以稳定，避免了重力的影响。获得的晶体具有层状纹理，没有明显的晶面或裂纹。它几乎保持了种晶体的晶体取向，但除了靠近种晶体的无孪晶区域外，其余部分存在孪晶。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2024.127673