【国际论文】与温度相关的 Ni/β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管界面特性建模

        近期，韩国世宗大学的研究团队在学术期刊Materials Science and Engineering: B发布了一篇名为Modeling temperature dependent Ni/β-Ga₂O₃ Schottky barrier diode interface properties（与温度相关的 Ni/β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管界面特性建模）的文章。

摘要

        本文利用TCAD模拟器对通过电子束蒸发沉积的Ni/β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管（SBD）在室温下的电流-电压特性进行建模。当考虑了Ni功函数、Ni/β-Ga₂O₃界面陷阱浓度以及掺杂Si的β-Ga₂O₃表面电子亲和力变化时，得到了很好的拟合。研究了温度依赖的J-V特性，并在低电压处获得了很好的一致性。然而，在高电压（串联电阻区域）处，模拟电流高于测量值，而测量的串联电阻（𝑅_𝑠）和导通电阻（𝑅_on）均高于其模拟对应值。为了克服这种不一致，研究了Si掺杂的β-Ga₂O₃表面电子亲和力对各个温度下SBD的影响。这是因为根据文献报道，电子亲和力可能受到位于导带最大值（CBM）上方的陷阱能级的影响。随着温度的升高，表面电子亲和力下降，因为位于CBM上方的陷阱能级被激活。取得了更好的一致性。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.mseb.2024.117485