【专家风采】李晓航 —— 技术专家委员会委员

个人简介

李晓航

现任职于阿卜杜拉国王科技大学（简称：KAUST）的电气与计算机工程和应用物理学副教授，技术创新与创业项目的创始任务组主席。同时担任KAUST创新中心的副主任。李晓航教授曾在乔治亚理工学院获得电气工程博士学位，并获得该学院最高的博士生荣誉——爱迪生奖。相关研究重点是针对下一代电子和光子技术的尖端（超）宽带隙半导体。在Nature Electronics、Advanced Materials、Light: Science & Application和Optica等著名期刊上发表了160多篇期刊论文。此外，还发表了超过250篇会议论文和演讲，并持有超过20项已授权专利。获得过包括美国晶体生长协会的Harold M. Manasevit Young Investigator Award、SPIE DJ Lovell Scholarship、IEEE Photonics Graduate Student Fellowship、Georgia Tech 40 under 40 Award在内的多个著名奖项。领导的科研团队在IWN、ICNS和SPIE等会议上获得了最佳学生奖和论文奖。担任《Photonics Research》的副主编、Journal of Semiconductor的编委、Advanced Electronic Materials和Advanced Materials Interfaces的客座编辑，以及包括IWN、EMC和IC-MOVPE等多个领先会议的委员会成员。并担任Nature Photonics、Nature Materials和Nature Electronics等期刊的审稿人。

成果展示

1、首个 Ga₂O₃/NiO双极性晶体管和CMOS集成电路: 

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.3c15778

2、首个 Ga₂O₃ 闪存:

https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/acdbf3/meta

3、首个Ga₂O₃的伪 CMOS集成电路:

https://ieeexplore.ieee.org/document/10232901

4、首个异质Ga₂O₃的NMOS集成电路:

https://pubs.aip.org/aip/apl/article/122/14/143502/2882382

5、首个异质外延 Ga₂O₃ 柔性器件:

https://pubs.aip.org/aip/apl/article/122/12/121101/2880825/Flexible-self-powered-DUV-photodetectors-with-high

6、首次用热扩散法制备高Al含量高质量(AlGa)₂O₃材料:

https://pubs.aip.org/aip/apl/article/118/3/032103/1022446

7、首个 AlN/Ga₂O₃ type-II 器件模型:

https://arxiv.org/abs/1901.05111

8、首次展示通过 MOCVD 技术生长的 α-、β- 和 ε-Ga₂O₃ 薄膜:

https://pubs.acs.org/doi/full/10.1021/acs.cgd.7b01791?casa_token=imOxuJAc-8QAAAAA%3AGAb_WQp7XrYBwMAPNmEJCmtemkIf0fz2ZiZPqJzysy-9voNXIjgl40s9C5XpBuHqjcDVsfk5AjmW8h81

专家寄语

作为宽禁带家族中最年轻的成员之一的Ga₂O₃有着巨大的潜力。同时也面临着来自更早进入的SiC和GaN等的激烈竞争。如何充分利用Ga₂O₃的优势并尽量减少其劣势的影响是至关重要的。除了在电力电子领域的应用，相信Ga₂O₃在极端环境集成电路和器件领域也将有巨大机会。