【国内论文】通过 MOCVD 在 4H-SiC 衬底上高质量异质外延 ε-Ga₂O₃ 薄膜

        近期，中山大学的研究团队在学术期刊CrystEngComm发布了一篇名为High-quality heteroepitaxy of ε-Ga₂O₃ films on 4H-SiC substrates via MOCVD（通过 MOCVD 在 4H-SiC 衬底上高质量异质外延 ε-Ga₂O₃ 薄膜 ）的文章。

摘要

        本研究通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）使用两步生长法在碳化硅（4H-SiC）基板上生长了高质量的 ε-Ga₂O₃ 外延层。获得的 ε-Ga₂O₃ 外延层的（004）摇摆曲线半高宽（FWHM）小至 0.09°（341 角秒），这是目前使用 MOCVD 方法获得的最低值。研究了成核层结构对晶体质量的影响。结果表明，具有低晶粒密度的混合相（β + ε）结构的高温成核层有利于高质量 ε-Ga₂O₃ 薄膜的生长。提出了一种生长模型来解释如何实现高质量 ε-Ga₂O₃ 异质外延。本研究为在 4H-SiC 衬底上开发外延 ε-Ga₂O₃ 提供了宝贵的见解。

DOI：https://doi.org/10.1039/D4CE00283K