【国际论文】研究用于大功率应用的 Ga₂O₃ MOSFET 分层栅极场板设计的可行性

        近期，印度德里大学的研究团队在学术期刊Journal of Electronic Materials发布了一篇名为Investigating Viability of Split-Stepped Gate Field Plate Design on Ga₂O₃ MOSFET for High Power Applications（研究用于大功率应用的 Ga₂O₃ MOSFET 分层栅极场板设计的可行性）的文章。

摘要

        在氧化镓（Ga₂O₃）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）上采用了分层栅场板设计。本研究的目的是通过提高 Ga₂O₃ MOSFET 的击穿极限来发挥其潜力，同时克服同时提高功率和射频 (RF) 指标的挑战。我们利用技术计算机辅助设计模拟，在校准环境中对所提器件进行了广泛的模拟研究，重点关注模拟和射频指标，并对分裂阶梯栅极场板设计、短路阶梯栅极场板设计和传统的Ga₂O₃ MOSFET 设计进行了比较分析。结果凸显了所提器件的优越性，击穿电压（即相对提高 106.36%）和功率因数（即相对提高 282.70%）均有大幅提高。

DOI：doi.org/10.1007/s11664-024-11225-3