【国际论文】导通电压接近零、击穿电压超过 3.6 kV 的 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管

        近期，由韩国电子通信研究院的研究团队在学术期刊Transactions on Electrical and Electronic Materials发布了一篇名 β-Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes with Near-Zero Turn-on Voltage and Breakdown Voltage over 3.6 kV（导通电压接近零、击穿电压超过 3.6 kV 的 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管）的文章。

摘要

        在通过分子束外延（MBE）生长的Si掺杂β-Ga₂O₃晶圆上，制备了横向肖特基势垒二极管（SBD）。这些器件的阳极到阴极距离不同，并包含连接阳极的场板结构。一个阳极到阴极距离为25μm的器件展示了超过3.6 kV的高击穿电压。一个阳极到阴极距离为10μm的小型器件展示了0.1508 Ω·cm²的比导通电阻（R_on,sp）和18.87 MW/cm²的功率品质因数。通过使用具有相对低功函数的钛作为肖特基接触，实现了非常低的开启电压和小于60 mV/dec的亚阈值摆幅。

DOI：doi.org/10.1007/s42341-024-00529-0