【国内论文】浙江大学研究团队关于β-Ga₂O₃ 单晶和器件热处理的最新进展

        近期，由浙江大学的研究团队在学术期刊International Journal of Minerals, Metallurgy and Materials发布了一篇名为Recent progresses in thermal treatment of β-Ga₂O₃ single crystals and devices（β-Ga₂O₃ 单晶和器件热处理的最新进展）的文章。

摘要

        近年来，超宽带隙半导体β-氧化镓凭借其有意的物理性质而被认为在功率器件和紫外光电器件方面具有极大的应用潜力。在半导体工业中，热处理作为一种方便有效的单晶衬底性质调制和器件制造方法，已得到了广泛应用。因此，全面总结β-氧化镓单晶和器件在高温热处理过程中的行为对促进氧化镓产业的发展具有重要意义。在这篇综述中，我们介绍了通过热处理调节β-氧化镓单晶衬底性能的研究进展，主要包括三个应用方面:(i) 调整晶体电学性能，(ii) 修饰衬底表面形貌，(iii) 氧化法制备β-氧化镓。同时，本文综述了热处理在β-氧化镓(i)电极制备和(ii) 辐射损伤处理和离子注入等器件制备方面的应用。在不同的应用中，本文总结了较为通用的热处理策略，并提出了现存热处理工艺存在的问题。

DOI：doi.org/10.1007/s12613-024-2926-4