【国内论文】利用 Ga-Sn 合金固体源，通过 LPCVD 在离轴蓝宝石衬底上生长掺杂锡的β-Ga₂O₃ 薄膜

        近期，由北京理工大学的研究团队在学术期刊Physica Scripta 发布了一篇名为Sn-doped β-Ga₂O₃ thin films grown on off-axis sapphire substrates by LPCVD using Ga-Sn alloy solid source（利用 Ga-Sn 合金固体源，通过 LPCVD 在离轴蓝宝石衬底上生长掺杂锡的β-Ga₂O₃ 薄膜）的文章。

摘要

        采用低压化学气相沉积（LPCVD）技术，在沿〈11–20〉方向偏轴的c面蓝宝石衬底上异质外延生长了Sn掺杂的β-Ga₂O₃薄膜。本文系统研究了偏轴角度对晶体结构、电学性能、表面形貌和化学成分的影响。研究结果表明，随着偏轴角度的增加，β-Ga₂O₃薄膜的结晶度得到了显著改善，因为面内旋转域得到了有效抑制，其半高宽（FWHM）降至0.64°。相应地，霍尔载流子迁移率从4.7 cm²/V·s提升至17.9 cm²/V·s，载流子浓度为9 × 10¹⁷ cm^-3，这在已报道的LPCVD方法制备的Sn掺杂β-Ga₂O₃薄膜中具有很高的竞争力。这些结果展示了一种异质外延生长高电学质量n型掺杂β-Ga₂O₃薄膜的替代途径，为Ga₂O₃材料和器件的发展提供了新的思路。

DOI：doi.org/10.1088/1402-4896/ad4e12