【国际论文】通过共振和三点弯曲技术测量 β-Ga₂O₃ 纳米线的弹性模量

        近期，由拉脱维亚大学的研究团队在学术期刊Beilstein Journal of Nanotechnology发布了一篇名为Elastic modulus of β-Ga₂O₃ nanowires measured by resonance and three-point bending techniques（通过共振和三点弯曲技术测量β-Ga₂O₃ 纳米线的弹性模量）的文章。

摘要

        由于近年来对用于各种电子和紫外设备应用的超宽带隙β-Ga₂O₃薄膜和纳米结构的兴趣，理解Ga₂O₃纳米线（NWs）的机械性能变得非常重要。在这项工作中，我们使用两种不同的技术——原位扫描电子显微镜共振和原子力显微镜三点弯曲——研究了单个β-Ga₂O₃纳米线的弹性模量。通过X射线衍射、透射和扫描电子显微镜研究了合成纳米线的结构和形态特性。共振测试得到的平均弹性模量为34.5 GPa，而通过三点弯曲法得到的平均值为75.8 GPa。测得的弹性模量值表明在考虑其在未来纳米级设备中的应用之前，需要对β-Ga₂O₃纳米线的合成方法进行精细控制，并详细检查其机械性能。

图 1：a) 硅衬底上 β-Ga₂O₃ NW 的 X 射线衍射图样。b) β-Ga₂O₃ NW 的 TEM 图像，层间距为 5.7 Å，表明生长方向为 [001]。c) β-Ga₂O₃ NW 的 TEM 图像，具有正交 (11-2) 和 (-112) 平面，层间距为 2.2 Å，表明生长方向为 [021]。