【国际时事】ARL 与 Luxium Solutions 合作，推动国内的氧化镓超宽带隙半导体晶片供应

        宾夕法尼亚州立大学应用研究实验室（ARL）最近获得了来自空军研究实验室（AFRL）的440万美元资助，用于开发美国国内供应的氧化镓（Ga₂O₃）半导体晶圆。

        氧化镓作为一种新兴材料，可高效的用于超宽带隙（UWBG）半导体。与具有1.12 eV带隙的硅不同，氧化镓的带隙超过4.8 eV，导致其理论临界电场显著更高且导通电阻明显更低。此外，氧化镓的独特之处在于可以大规模生产且成本显著低于其他材料。

        ARL电子材料与器件部（EMDD）的研究教员、首席研究员David Snyder博士表示：“超宽带隙半导体的应用日益广泛，ARL此前已连续五年获得美国空军后勤基地（AFRL）的资助，用于开发和推广氧化镓。我们很高兴能与AFRL合作，共同开发出用于美国国内供应具有独特超宽带隙特性的低成本四英寸晶片。”

        Luxium Solutions是全球领先的光子学和辐射检测应用的高性能晶体供应商。ARL与Luxium Solutions合作，将进一步推进Luxium Solutions在生产氧化镓晶体中所使用的限制边缘生长（EFG）法。同时，ARL将开展研究垂直布里奇曼（VB）法作为替代的生长技术。

        负责此项工作的空军项目经理Katie Burzynski博士说："能够参与氧化镓半导体的开发是一个令人兴奋的机会。这项计划强调了我们为国防部的关键应用推进技术发展的决心，我们期待着这项合作将带来的进展和影响。"

        Luxium公司研发与工程总监John Frank表示："我们很荣幸能与ARL合作开展这一富有挑战的项目。利用高性价比的晶体生长方法开发β相氧化镓衬底的合同与我们在材料科学和晶体生长技术方面的先进能力完美契合。这项工作对下一代大功率电子设备至关重要，能够实现卓越的热性能和电性能。”

        该项目由首席研究员David Snyder博士领导，联合首席研究员包括Robert Lavelle和Daniel Erdely。Luxium Solutions团队位于俄亥俄州Hiram和新罕布什尔州Milford，由Drew Haven博士领导，团队成员包括晶体生长和材料科学领域的专家：David Joyce, Paul Guggenheim和Kale Geddis。

2 英寸氧化镓超宽带隙晶片，由 Luxium Solutions制造