【国际论文】光化学湿法蚀刻 (001)面 β 相 Ga₂O₃ 及其各向异性蚀刻行为

        近期，由韩国檀国大学的研究团队在学术期刊Applied Surface Science发布了一篇名为Photochemical wet etching of (001) plane β-phase Ga₂O₃, and its anisotropic etching behavior（光化学湿法蚀刻 (001)面 β 相 Ga₂O₃及其各向异性蚀刻行为）的文章。

摘 要

        在紫外光照射下，使用氢氧化钾蚀刻液研究了 (001) 面β-Ga₂O₃单晶在 80-95 °C 温度范围内的光化学 (PC) 湿法蚀刻行为。在80°C时，蚀刻速率为1.65 nm/min，升高至95°C时蚀刻速率增加至4.88 nm/min。(001)面β-Ga₂O₃的蚀刻速率显示出强烈的温度依赖性，活化能为0.798 eV。将(001)面β-Ga₂O₃的PC湿法蚀刻特性与(-201)和(010)面β-Ga₂O₃进行了比较。蚀刻速率依次为(010)面、(-201)面和(001)面，符合表面能量增加的趋势。经过30分钟的PC湿法蚀刻后，在80°C时，(001)面β-Ga₂O₃晶体表面观察到了沿[010]方向排列的椭圆形沟槽。

DOI：doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.160330