【国内论文】西安邮电大学研究团队基于 Ga₂O₃ 的 10 × 10 日盲紫外线探测器阵列和成像特性的研究

        近日，由西安邮电大学的研究团队在学术期刊Journal of Semiconductors发布了一篇名为10 × 10 Ga₂O₃-based solar-blind UV detector array and imaging characteristic（基于Ga₂O₃ 的 10 × 10 日盲紫外线探测器阵列和成像特性）的文章。

摘要

        基于原子层沉积生长的Ga₂O₃薄膜，制备了具有双层线结构的10×10日盲紫外（UV）成像阵列。阵列中的单个检测单元在3 V电压下表现出优异的性能：光暗电流比（PDCR）为5.5 × 10⁵，响应度（R）为4.28 A/W，外量子效率（EQE）为2.1 × 10³ %，探测率（D*）为1.5 × 10¹⁴ Jones，并且具有快速响应时间。光电探测器阵列在不同光强和低工作偏压下表现出高均匀性。该阵列还具有良好的温度稳定性。在300 °C下，仍能呈现清晰的成像，并在5 V和1 V电压下分别保持高响应度为34.4和6.45 A/W。这项工作为大规模Ga₂O₃日盲紫外探测器阵列提供了新的见解。

图 1. 10 × 10 β-Ga₂O₃日盲紫外探测器阵列制备流程图。