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【国际时事】日本NEDO布局氧化镓，助力半导体产业技术突破
日期：2024-09-02阅读：267
日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）日前宣布，将重点推进基于β-氧化镓（β-Ga2O3）材料的技术开发项目。这一举措旨在应对当前可再生能源和电动汽车快速普及带来的新挑战，特别是对高输出、高效率以及耐受极端环境的半导体器件的迫切需求。
随着全球范围内对清洁能源的需求不断增加，传统半导体材料如硅（Si）和碳化硅（SiC）在某些高要求应用中的局限性逐渐显现。相较于这些材料，β-Ga2O3因其卓越的介电击穿强度而备受瞩目。这一特性使得β-Ga2O3在中高压范围内表现出优异的性能，成为开发高压功率器件和模块的理想材料。
NEDO计划在这一项目中，致力于β-Ga2O3晶圆的制造技术开发。该机构将致力于研究如何将这一新材料应用于大规模生产，使其在尺寸、质量和成本方面都达到实用化的标准。通过这一技术开发，预计未来可生产出能适应高温等恶劣环境、同时具备低损耗和节能特性的半导体器件。
此项技术的成功开发，不仅将对半导体行业产生深远影响，也将在支持全球绿色能源转型、提升电动汽车性能以及增强能源基础设施的可靠性等方面发挥重要作用。未来，随着技术进一步成熟，氧化镓在电力电子和功率模块领域的应用前景广阔。
执行单位
Novel Crystal Technology（NCT）（牵头企业）
三菱电机株式会社
日本精细陶瓷中心（JFCC）
项目期限（预期）
2024年~2028年（5年）
主要研发内容
□ 开发β-Ga2O3 晶体生长技术
□ 开发β-Ga2O3 外延技术
□ 开发β-Ga2O3 缺陷检测技术
□ 开发β-Ga2O3 功率器件
□ 开发β-Ga2O3 功率模块
项目流程
