【国内论文】晶体和非晶衬底上基于非晶 Ga₂O₃ 的日盲光电探测器： 比较研究

        近期，由福州大学的研究团队在学术期刊Materials Science in Semiconductor Processing发布了一篇名为Amorphous Ga₂O₃-based solar-blind photodetectors on crystalline and amorphous substrates: A comparative study（晶体和非晶衬底上基于非晶 Ga₂O₃ 的日盲光电探测器： 比较研究）的文章。

摘要

        在室温下，通过脉冲磁控溅射（PSD）技术分别在二氧化硅和蓝宝石衬底上沉积了非晶态 Ga₂O₃ 薄膜。制备了相应的非晶 Ga₂O₃ 薄膜光电探测器。通过比较这两种光电探测器的性能，发现了薄膜与基底之间界面的氧空位和缺陷，从而确定了差异。二氧化硅上的非晶态 Ga₂O₃ 光电探测器具有很高的性能，其响应率为 417 A/W，探测率为 7.84 × 10¹² Jones，外部量子效率为 2.01 × 10⁵ %。

DOI：doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108491