【国内论文】用于功率场效应晶体管的超薄掺锡 Ga₂O₃： 采用高 K 栅极电介质的硅兼容 4 英寸阵列

        近期，北京理工大学的研究团队在学术期刊Science Bulletin发布了一篇名为Ultrathin Sn-doped Ga₂O₃ for power field-effect transistors: Si-compatible 4-inch array with high-k gate dielectric（用于功率场效应晶体管的超薄掺锡 Ga₂O₃： 采用高 K 栅极电介质的硅兼容 4 英寸阵列）的文章。

        氧化镓（Ga₂O₃）作为新型超宽带隙（UWBG）半导体，因其高达 4.9 eV 的大带隙、8 MV/cm 的高击穿电场和超过 3000 的高巴利加优值而备受关注。这些非凡的特性有力地支持了它在电力电子器件、极端耐环境器件和日盲探测器中的潜在应用。尽管最近在用于器件制造的 Ga₂O₃ 薄膜生长方面取得了进展，但所报道的方法通常需要 1000 C 的高温、复杂的工艺以及对均质基底的要求，这不可避免地增加了生产成本，限制了大规模生产的可行性。相比之下，磁控溅射等物理气相沉积（PVD）方法已成功显示出氧化物半导体和相关设备的优势。这些优势包括与硅的兼容性、低成本、低温、灵活的掺杂调制、大面积生长和快速生产。然而，PVD 方法在 UWBG Ga₂O₃ 及其功率器件中的应用在一定程度上被忽视了。

原文链接：https://doi.org/10.1016/j.scib.2024.04.059