【国内论文】通过金属有机化学气相沉积技术生长的具有非故意掺杂 (001) β-Ga₂O₃沟道层的增强型Ga₂O₃FET

        中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所的研究团队在学术期刊Japanese Journal of Applied Physics发布了一篇名为Enhancement-mode Ga₂O₃ FETs with unintentionally doped (001) β-Ga₂O₃ channel layer grown by metal-organic chemical vapor deposition（通过金属有机化学气相沉积技术生长的具有非故意掺杂 (001) β-Ga₂O₃ 沟道层的增强型 Ga₂O₃ FET）的文章。

摘要

       通过金属有机化学气相沉积，在本征衬底上生长出了高质量的非故意掺杂（UID）（001）β-Ga₂O₃同质外延薄膜。在低温低压条件下，表面平行沟槽得以修复，达到2.22 nm的表面粗糙度和74.6 cm²/Vs的高电子迁移率。在UID β-Ga₂O₃薄膜上制作的增强型金属氧化物半导体场效应晶体管显示出4.2 V的正向导通阈值栅极电压和673 V的击穿电压。这些结果可以作为(001)取向横向Ga₂O₃功率晶体管的参考，并有助于发展Ga₂O₃功率器件。

原文链接： https://doi.org/10.35848/1347-4065/ad5897