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【国际论文】软 X 射线照射下 700 nm 厚 α-Ga₂O₃ 薄膜探测器的电荷中性点移动
日期：2024-09-27阅读：160
近期，由韩国航空航天大学的研究团队在学术期刊ACS Applied Electronic Materials发布了一篇名为Charge Neutral Point Shift of a 700 nm-Thick α-Ga₂O₃ Thin-Film Detector under Soft X-ray Irradiation（软 X 射线照射下 700 nm 厚 α-Ga₂O₃薄膜探测器的电荷中性点移动）的文章。
摘要
本研究调查了在X射线照射和恢复时间下，厚度700 nm的α-Ga₂O₃金属-半导体-金属（MSM）器件的电中性点（CNP）偏移。CNP的偏移主要归因于α-Ga₂O₃薄膜中正离子的产生和复合。这些发现有助于理解α-Ga₂O₃MSM X射线探测器，并有潜力应用于各种X射线成像和传感技术领域。
原文链接：doi.org/10.1021/acsaelm.4c00928
