【国际论文】低压热壁金属有机化学气相沉积法生长的无意掺杂β-Ga₂O₃(010) 薄膜的电学特性

        近日，由日本大阪公立大学的研究团队在学术期刊Japanese Journal of Applied Physics发布了一篇名为Electrical properties of unintentionally doped β-Ga₂O₃(010) thin films grown by low-pressure hot-wall metalorganic chemical vapor deposition（低压热壁金属有机化学气相沉积法生长的无意掺杂β-Ga₂O₃ (010) 薄膜的电学特性）的文章。

摘要

        我们研究了通过低压热壁金属有机化学气相沉积法生长的非故意掺杂 (UID) Ga₂O₃(010) 层的电学性质，这些层上的肖特基势垒二极管 (SBD) 的器件特性被用来进行研究。从电流-电压特性中确认了UID Ga₂O₃层的高电阻性质。具有最高电阻UID Ga₂O₃层的SBD的特定导通电阻为2.2 × 10⁷ Ωcm²。电容-电压特性表明，大多数SBD在热平衡状态下完全耗尽UID层，表明其残余有效供体密度小于3.0 × 10¹³ cm^-3。

原文链接：doi.org/10.35848/1347-4065/ad6542