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【国际论文】β-Ga₂O₃中的铁掺杂能级

日期:2024-09-27阅读:247

        由美国伊利诺伊大学芝加哥分校的研究团队在学术期刊Applied Physics Letters发布了一篇名为Iron dopant energy levels in β-Ga2O3 (β-Ga2O3中的铁掺杂能级 )的文章。

摘要

        通过使用亚皮秒可调紫外激光辐射源进行透射测量,确定了β-Ga2O3带隙中两种铁掺杂能级的位置,分别在导带最低点以下3.05(±0.05)和3.85(±0.05) eV。进一步测量Fe:Ga2O3(010)光阴极的光电子发射量子效率,结果与所得的吸收数据一致,并与主要的光学声子辅助Franck–Condon发射机制相符,同时提供了导带电子寿命为100 ps的估算。

图 1. Fe:Ga2O3(010) 晶圆的透射率(右轴)和αl(左轴)的光谱依赖性:实验透射率(蓝色圆圈)、折射率 (1 - R)2 (黑色虚线)、S = 0.919 的 (1 - R)2S (黑色实线)和提取的 αl 值(黑点)。17(黑虚线)、S = 0.919 的 (1 - R)2S (黑实线)、αl 的提取值(黑点)及其与两个线性函数的拟合(红实线和红虚线)。

图 2. Fe:Ga2O3(010) QE 平方根的光谱依赖性:使用公式 (3) 对 ℏω < 3.8 eV 进行拟合(蓝色虚线),使用公式 (4) 对 ℏω < 4.8 eV 进行拟合(红色实线)。

 

原文链接:doi.org/10.1063/5.0213263