【国内论文】上海光学精密机械研究所的研究团队对β-Ga₂O₃晶体中的（-101）面进行研究

        近期，由上海光学精密机械研究所的研究团队在学术期刊Applied Surface Science发布了一篇名为The study of (-101) plane in β-Ga₂O₃ crystal（β-Ga₂O₃晶体中的（-101）面研究）的文章。

摘要

        本文中，研究人员证实了 β-Ga₂O₃ 中 (001) 晶面的孪晶界对称晶面为 (-101) 晶面，并对 (-101) 晶面进行了系统表征。X 射线衍射结果表明，(-101) 晶面衍射峰仅在米勒指数 hkl l分量为偶数的位置出现，这些位置与 (001) 面衍射峰位置重合。(-101) 晶面的终止原子排列不仅仅只包含镓或氧原子，其存在两种悬挂键形式，密度分别为 1.614×10¹⁵ 和 2.421×10¹⁵ cm^-2。湿法刻蚀结果表明 (-101) 与 (001) 晶面的缺陷形貌存在明显差异，能够用来区分这两个晶面。通过透过光谱、X 射线光电子能谱和紫外光电子谱确定了 (-101) 晶面的禁带宽度为 4.76 eV，最大价带值为 3.64 eV，肖特基势垒为 1.12 eV，该研究为氧化镓的应用中不同晶面的选择提供了新的启示。

图 1：（a）β-Ga₂O₃ 晶体，（b）偏振光下的晶体

图 2. (a) (001) 面和 (b) (-101) 面的 XRD 结果

DOI：doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.161054