【国内论文】NaOH 溶液表面处理对 Al₂O₃/β-Ga₂O₃ MOS 电容器的影响

        近期，由中山大学的研究团队在学术期刊Semiconductor Science and Technology发布了一篇名为Impact of NaOH solution surface treatment on Al₂O₃/β-Ga₂O₃ MOS capacitors（NaOH 溶液表面处理对 Al₂O₃/β-Ga₂O₃ MOS 电容器的影响）的文章。

摘要

        合适的半导体表面处理可以改善栅极电介质质量，减少界面态和陷阱，从而提高金属-氧化物半导体电容器（MOSCAPs）的性能。本文研究了在沉积Al₂O₃之前，使用NaOH溶液对β-Ga₂O₃表面进行处理的效果。与食人鱼溶液预处理相比，经过NaOH溶液表面预处理的MOSCAP表现出更大的最大累积电容，较小的频率弥散，降低的电荷/陷阱以及较低的界面态密度D_it。MOSCAP性能的提升归因于NaOH溶液处理引起的轻微表面刻蚀效果以及相对有效的羟基化表面。这些结果表明，通过优化NaOH溶液表面处理工艺，可以进一步改善β-Ga₂O₃MOSCAPs的性能，并在未来应用于β-Ga₂O₃金属-氧化物半导体场效应晶体管方面具有潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-6641/ad59bc