【国内论文】利用磁控共溅射技术制备掺锡 Ga₂O₃ 薄膜和 MSM 紫外线探测器

        近日，由西安理工大学的研究团队在学术期刊Materials发布了一篇名为Preparation of Sn-Doped Ga₂O₃ Thin Films and MSM Ultraviolet Detectors Using Magnetron Co-Sputtering（利用磁控共溅射技术制备掺锡Ga₂O₃薄膜和 MSM 紫外线探测器）的文章。

摘要

        通过共溅射方法制备了Sn掺杂的Ga₂O₃薄膜和金属-半导体-金属（MSM）紫外探测器，以增强其光电性能。结果表明，Sn掺杂可以有效改变薄膜的光学和电学特性，大大提高器件的光电响应性。通过微结构测试结果确定，所有薄膜结构均为单斜β相氧化镓。在30 W的直流功率下，Sn掺杂薄膜的厚度为430 nm，表面粗糙度为4.94 nm，载流子浓度、电阻率和迁移率分别达到9.72 × 10¹⁸ cm⁻³、1.60 × 10⁻⁴ Ω cm和45.05 cm³/Vs。光学结果显示，Sn掺杂明显降低了薄膜的透射率，带隙可降低至3.91 eV。在30 W直流功率下，探测器的光暗电流比可达到101，时间响应为t_r = 31 s和t_f = 22.83 s，光谱响应率达到19.25 A/W。

原文链接：

https://doi.org/10.3390/ma17133227