【国内论文】β氧化镓纳米线径向生长机制的实验研究

        近期由大连海事大学的研究团队在学术期刊Materials Science in Semiconductor Processing发布了一篇名为Experimental investigation of the radial growth mechanism on beta gallium oxide nanowires（β氧化镓纳米线径向生长机制的实验研究）的文章。

摘要

        使用化学气相沉积技术在镀金蓝宝石衬底上制备了β-Ga₂O₃纳米线。研究发现，Au纳米颗粒控制了β-氧化镓纳米线的合金化、成核和优先生长，这可以通过气-液-固（VLS）机制得到很好的解释。能量色散谱（EDS）映射图显示，由于Au纳米颗粒位于β-Ga₂O₃纳米线的尖端，纳米线的生长遵循自下而上的模式。进一步对纳米线生长机制的研究表明，扫描电子显微镜（SEM）图像显示纳米线直径与生长时间之间存在依赖关系。为了实现具有可调直径的β-Ga₂O₃纳米线，讨论了纳米线在随后的径向生长中的气-固（VS）机制。带隙能量是表征宽带隙半导体的一个重要物理参数，因此研究了在不同生长时间下制备的β-Ga₂O₃纳米线，并发现由于带隙窄化效应，带隙值有所降低。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2024.108650