论文分享
【国际论文】展示用于阿尔法辐射探测的 β-Ga₂O₃ 肖特基二极管
日期：2024-10-24阅读：178
近期，由美国俄亥俄州立大学的研究团队在学术期刊Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment发布了一篇名为Demonstrating the β-Ga2O3 Schottky diodes for alpha radiation detection（展示用于阿尔法辐射探测的 β-Ga2O3 肖特基二极管）的文章。
摘要
在掺杂浓度为7.0 × 1015 cm−3的(001)单斜β-Ga2O3 晶片上制造了肖特基势垒二极管。通过电子束蒸发沉积了面积为2 mm2的圆形镍肖特基接触。对器件进行电气特性测试，包括正向和反向电流-电压扫描（范围为−100 V至2 V）以及电容-电压扫描（至−30 V）。器件的击穿电压测定为−180 V。此外，进行了测量入射X射线辐射的电响应的实验，记录的X射线辐射响应时间小于1s，而在移除X射线源后，衰减时间约为2s，主要归因于X射线的开关时间。在不同电压偏置下，使用具有最低漏电流的器件收集了来自0.9 μCi 241Am按钮源的α粒子能量谱。总计数率随器件偏置增加线性增长。峰值通道数随偏置增加而增加，在−100 V反向偏置下测得的最佳分辨率为9.5%。
原文链接：
https://doi.org/10.1016/j.nima.2024.169686
