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【国际论文】氧等离子体功率对Ga₂O₃钝化GaN紫外线光电探测器性能的影响
日期：2024-10-24阅读：173
近期，由印度拉贾-拉曼纳先进技术中心的研究团队在学术期刊Applied Surface Science发布了一篇名为Impact of oxygen plasma power on the performance of Ga2O3 passivated GaN ultraviolet photodetectors（氧等离子体功率对 Ga2O3 钝化GaN紫外线光电探测器性能的影响）的文章。
摘要
本研究探讨了氧等离子体功率对氮化镓(GaN)外延层表面钝化程度和Au/Ni/GaN肖特基探测器光响应的影响。在中等等离子体功率下，氧化物钝化GaN的表面形貌得以保持，而在较高功率下显著恶化。光致发光光谱显示，在较高功率下，带边和缺陷相关的黄色发光强度下降，表明产生了非辐射复合中心。通过X射线光电子能谱分析钝化层的化学和电子结构，发现中等等离子体功率下形成共价Ga2O3，而较高功率下形成了部分分解的Ga2O3和镓亚氧化物。这导致在中等等离子体功率钝化后光电探测器的响应度增强，而在较高功率下显著下降。从Au/Ni/GaN肖特基二极管的电传输测量中观察到，二极管在氧等离子体处理后在中等功率下表现出更强的肖特基（欧姆）特性，而在较高功率下表现出更多的欧姆（肖特基）特性。当前研究为选择GaN表面钝化的氧等离子体功率提供了明确的指导，这对于优化基于GaN的光电子和功率器件的性能非常有益。
原文链接：
https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.160861
