【国际论文】通过热处理引发化学气相沉积沉积的聚四烯丙基锡首次证明锡扩散到氧化镓中

        近期，由韩国檀国大学的研究团队在学术期刊Nanotechnology发布了一篇名为First demonstration of Sn diffusion into gallium oxide from poly-tetraallyl tin deposited by initiated chemical vapor deposition by thermal treatment（通过热处理引发化学气相沉积沉积的聚四烯丙基锡首次证明锡扩散到氧化镓中）的文章。

摘要

        氧化镓（Ga₂O₃）具有宽能带隙和高击穿电场，正在引起作为下一代功率器件半导体材料的关注。我们采用已公开的化学气相沉积（iCVD）工艺，在Ga₂O₃样品上沉积了一种Sn聚合物——聚四烯基锡（pTASn）。通过热处理过程，将Sn掺杂剂从Sn聚合物层注入到Ga₂O₃中。通过二次离子质谱（SIMS）分析和键解离能提出了Sn扩散到Ga₂O₃中的扩散模型。所制造的器件表现出典型的n型场效应晶体管（FET）行为。使用iCVD的Ga₂O₃ Sn掺杂技术将在未来应用于3D结构和沟槽结构，为Ga₂O₃基功率半导体器件制造工艺开辟了许多可能性。

原文链接：

https://doi.org/10.1088/1361-6528/ad696e