【国际论文】通过喷雾化学气相沉积法在盐酸支撑下从乙酰丙酮镓中生长出 α-Ga₂O₃

        近日，由日本高知工科大学的研究团队在学术期刊Nanomaterials发布了一篇名为Growth of α-Ga₂O₃ from Gallium Acetylacetonate under HCl Support by Mist Chemical Vapor Deposition（通过喷雾化学气相沉积法在盐酸支撑下从乙酰丙酮镓中生长出 α-Ga₂O₃）的文章。

摘要

        在本文中，利用HCl支持的雾化化学气相沉积法在c-面蓝宝石衬底上生长了α-Ga₂O₃薄膜，并研究了HCl支持对α-Ga₂O₃薄膜质量的影响。随着Ga供应速率的增加，生长速率单调增加。然而，当Ga供应速率高于0.1 mmol/min时，随着HCl供应速率的增加，生长速率进一步增加。当Ga供应速率小于0.07 mmol/min时，HCl支持改善了表面粗糙度。无论溶液制备条件、Ga供应速率和HCl供应速率如何，α-Ga₂O₃薄膜的晶体质量都随着薄膜厚度的增加而改善。这些结果表明，在本文描述的条件下生长的α-Ga₂O₃薄膜的表面粗糙度和晶体质量的改善之间关联度较低。

图1. 带有多个溶液室、一个混合室和一个细通道反应器的雾状 CVD 系统示意图。

图 2. (a) 在 c 平面蓝宝石衬底上生长的 α-Ga₂O₃薄膜的典型 XRD 光谱和 (b) 使用不同方法估算厚度的结果（纵轴  T_L：根据 XRD 光谱中的劳厄条纹间距计算的厚度；横轴 T_E：根据光谱椭偏仪计算的厚度）。虚线代表纵轴和横轴上的相同值。

原文链接：

https://doi.org/10.3390/nano14141221