论文分享
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【会员论文】西电郝跃院士、张进成教授团队：具有高功率密度和低微波噪声系数的C波段β-Ga₂O₃-on-SiC射频功率MOSFET
[ 2025-08-04 ] -
【国内论文】西安邮电大学：日盲紫外线调制β-Ga₂O₃全波桥式整流器
[ 2025-08-04 ] -
【国际论文】衬底预处理对卤化物气相外延法在蓝宝石衬底上生长κ-Ga₂O₃层的影响
[ 2025-08-04 ] -
【器件论文】β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃ 活性层的结构与电子特性及其在空间级日盲光电探测器中的应用
[ 2025-08-04 ] -
【器件论文】采用臭氧前驱体 ALD 沉积 Al₂O₃ 栅介质的低漏电流 β-Ga₂O₃ MOS 电容器
[ 2025-08-04 ] -
【器件论文】单片集成、可重构的氧化镓 NAND/NOR 门，采用铁电 AlScN 栅极堆栈
[ 2025-08-04 ] -
【器件论文】通过后沉积退火揭示 GaN/α-Ga₂O₃ 界面接触屏障调制：密度泛函理论见解
[ 2025-08-04 ] -
【会员论文】西安交通大学：500 MeV Kr⁺离子对NiO/β-Ga₂O₃异质结二极管的辐射效应
[ 2025-08-01 ] -
【国际论文】β-Ga₂O₃的偏振依赖性共振非弹性X射线散射：实验与计算研究
[ 2025-08-01 ] -
【器件论文】高性能真空退火 β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃/Ga₂O₃ HFET，其 fᴛ/fᴍᴀx 分别为 32 GHz 和 65 GHz
[ 2025-08-01 ]
