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                     【器件论文】基于热氧化镓法生长的微米厚 β-Ga₂O₃ 薄膜的高性能日盲成像光电探测器[ 2024-12-31 ]
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                     【器件论文】设计带介质柱的 Ga₂O₃ 沟槽栅 MOSFET 器件[ 2024-12-31 ]
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                     【国际论文】等离子体辅助分子束外延中In介导的金属交换催化作用下κ与β氧化镓及 (InₓGa₁₋ₓ)₂O₃ 的相选择性生长[ 2024-12-30 ]
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                     【国际论文】β-Ga₂O₃ 中主要深能级俘获截面随温度变化的观测[ 2024-12-30 ]
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                     【外延论文】基于雾化学气相沉积法生长的掺杂 Ge 的 α-Ga₂O₃ 的 24 mA/mm 金属半导体场效应晶体管[ 2024-12-30 ]
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                     【外延论文】聚焦镓离子束在微纳尺度制造中的β-氧化镓溅射刻蚀特性[ 2024-12-30 ]
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                     【外延论文】用于氧化镓沉积的Mist CVD技术:综述[ 2024-12-30 ]
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                     【器件论文】Ga₂O₃ 光电探测器的结构工程: 综述[ 2024-12-30 ]
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                     【器件论文】高压 β-Ga₂O₃ /4H-SiC 异质结 LDMOS 的设计与研究[ 2024-12-30 ]
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                     【器件论文】基于热氧化 Ga 缓冲层的高性能 Ga₂O₃ 日盲光电探测器[ 2024-12-30 ]

 
      
      
      