论文分享
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【国内论文】浙江大学杨德仁院士领导的研究团队——铸造法生长的 (-310) β-Ga₂O₃ 单晶中位错的表征
[ 2025-02-27 ] -
【会员论文】西电常晶晶、林珍华、高香香AELM：基于溶液法的 Ga₂O₃ 光突触忆阻器
[ 2025-02-27 ] -
【国内论文】武汉大学——β-Ga₂O₃ 器件与铁电 HfO₂ 栅极介电体界面工程的理论见解：极化方向的影响
[ 2025-02-27 ] -
【国际论文】移动磁场下 VGF β-Ga₂O₃ 生长的数据驱动可行性研究
[ 2025-02-27 ] -
【国际论文】通过掺杂钽实现 β-Ga₂O₃ 单晶衬底的低导通电阻和高载流子迁移率
[ 2025-02-27 ] -
【外延论文】低压 CVD 生长的掺硅 β-Ga₂O₃ 薄膜具有良好的电子迁移率和高生长率
[ 2025-02-27 ] -
【外延论文】通过 AlN 缓冲层提高硅衬底上 MOCVD 生长的 β-Ga₂O₃ MOSFET 性能
[ 2025-02-27 ] -
【外延论文】在掺有 Er 的 GeO₂ 纳米薄膜中通过 Ga₂O₃ 原子层进行界面修饰以增强电致发光和操作稳定性
[ 2025-02-27 ] -
【国际论文】Nat.Commun.丨加利福尼亚大学——用于 β-Ga₂O₃ 薄膜晶体管的低温压力辅助液态金属印刷技术
[ 2025-02-25 ] -
【会员论文】日本NCT器件研究新突破！横向结型场效应晶体管（JFET）突破10kV击穿极限
[ 2025-02-25 ]
